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SML Resist / PMMA Resist | 半導体 レジスト

半導体用レジスト
半導体加工における電子線リソグラフィの中で使用されるレジスト(感光材)。

20年以上にわたり電子線リソグラフィ および ナノ加工用材料を専門的に開発しているイギリスのEM Resist社では、SML Resist / PMMA Resistの2種類を取り扱っています。

主な特徴
SMLレジスト:
プラズマ性に優れたマスク。耐LSI製造工程の超LSI向け微細加工に使用される。
PMMAレジスト:
耐熱性や電気的絶縁性に優れたマスク。
高アスペクト比の微細パターン形成が可能で、MEMSやNEMS分野で使用される。

主な用途
- ウエハー上に回路パターンを形成
- イオン注入向けマスク
- 選択的エッチングを行うためのマスク
- ウエハー表面の保護(パッシベーション)
- 半導体CMPプロセスで使用領域を規定

研究分野
- ナノリソグラフィ
- イオンビーム技術
- マイクロファブリケーション技術
- 半導体製造技術

検索キーワード:
電子ビーム描画装置 / 電子線描画装置 / Electron Beam Lithography / SML Resist / PMMA Resist / ウエハー回路パターン形成 / イオン注入向けマスク / 選択的エッチング用マスク / ウエハー表面保護 / 半導体CMPプロセス用材料 / 半導体研究用レジスト / ナノリソグラフィ / マイクロファブリケーション / 半導体リソグラフィ / 半導体加工マスク / MEMS製造用レジスト / イオンビームリソグラフィ / パッシベーションマテリアル


研究テーマ・研究分野の例:
再生可能エネルギー / 電極材料 / グリーンケミストリー / ナノテクノロジー / 半導体製造技術 / マイクロファブリケーション技術 / ナノリソグラフィ / イオンビーム技術



メーカー
EM Resist Ltd.
https://www.emresist.com/

SML Resist / PMMA Resist | 半導体 レジストの取り扱い商品の一例

商品名 納品方法 納期 価格
SML Resist (レジスト膜厚/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください
PMMA Resist (分子量/希釈度/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください

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SML Resist / PMMA Resist | 半導体 レジストの商品説明




SML Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

低加速電圧でも近接効果補正を使用せずに
高解像度・高アスペクト比のパターンに同時にパターニングが可能な、
特別に設計された新しいレジスト。

レジスト膜厚は以下からお選びいただけます。
・SML50 : 40nm - 100nm
・SML100 : 90nm - 210nm
・SML300 : 250nm - 600nm
・SML600 : 575nm - 1300nm
・SML1000 : 990nm - 2000nm
・SML2000 : 1800nm - 5000nm

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
50mL/100mL/150mL/200mL/250mL/500mL/750mL/1000mL


製品詳細

・Very high resolution : <10nm
・Very high aspect ratio :
… >10:1 @ 30 kV
… >50:1 @ 100 kV
・Thickness : 50 nm - 2000 nm
・Superior LER/LWR
・Very straight sidewalls
・Excellent surface adhesion (HMDS not required)
・Excellent etch resistance

推奨処理条件

・Casing solvent : Anisole
・Pre-bake : 180°C for 2 minutes
・Exposure : 200-500 μC/cm2 @ 30kV
・Developer : MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper : IPA for 15s
・Remover : Acetone

SML Resist 写真 ※クリックで拡大します

写真はともに50mLのボトル。




PMMA Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

業界標準のPMMA(ポリメチルメタクリレート)レジスト。

Molecular Weight(分子量)を 950K/495K/120K/35K からお選びいただけます。
Dilutions (希釈度)は以下からご指定いただけます。
・950K/495K … A2~A10
・120K/35K … A2~A12

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
250mL/500mL//1000mL/1500mL/2000mL/2500mL/3000mL


推奨処理条件

・Casing solvent: Anisole
・Pre-bake: 180°C for 2 minutes
・Exposure: 100-300 μC/cm2 @ 30kV
・Developer: MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper: IPA for 15s
・Remover: Acetone

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SML Resist / PMMA Resist用の現像液(Developers) および 剥離液(Remover)もございます。
詳細はこちら



【近接効果補正とは】
近接効果補正とは、微細なパターンを形成する際に生じる近接効果(パターン同士が影響し合う現象)を補正する技術です。
SML Resist / PMMA Resistは、微細な構造物を高精度に作製する際に近接効果を考慮した特殊なレジストです。例えば、高密度の集積回路やMEMSデバイスなどでの微細なパターン形成に適しています。

【関連研究キーワード】
ナノフォトリソグラフィ / ナノリソグラフィ材料 / マイクロ加工技術 / 半導体デバイス製造 / フォトリソグラフィ / ナノテクノロジー応用 / イオンビームリソグラフィ技術 / MEMS製造プロセス / 高密度集積回路製造 / エッチングマスク材料

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    納品・請求書による後払いです。
    ご注文手続きはお見積もりメールへの返信のみでけっこうです。
  • 銀行振込:
    ご注文の返信メールをいただいた後、弊社指定の銀行口座へのお振込みを確認した時点で注文の確定とさせていただきます。

※法人掛売りでのお支払いについては一定の条件がございます
お支払い方法の詳細はお見積もりメールに記載しておりますので、ご確認ください。

SML Resist / PMMA Resist | 半導体 レジストの取り扱い商品の一例

商品名 納品方法 納期 価格
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PMMA Resist (分子量/希釈度/容量をお知らせください) 弊社より配送 お問い合わせください お問い合わせください

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