EM Resist社製 各種レジスト | 半導体 レジスト

電子線レジスト SML Resist / PMMA Resist / HSQ Resist 、フォトレジスト SU-8 Resist

20年以上にわたり電子線リソグラフィ および ナノ加工用材料を専門的に開発している、イギリス EM Resist社製のレジスト(感光材)。
電子線レジスト (Electron Beam Resist/EB resist) を中心に、フォトレジストも取り扱っております。


取り扱いレジストの主な特徴

SML レジスト :
高解像度でプラズマエッチングに対する耐性に優れたマスク。
大規模集積回路 (LSI) 製造工程において、超LSI向けの微細加工に使用される。

PMMA レジスト :
高解像度と加工精度に優れたマスク。
高アスペクト比の微細パターン形成が可能で、
ナノインプリントリソグラフィーや、MEMSやNEMS分野の研究開発に使用される。

HSQ レジスト :
高解像度かつエッチング耐性に優れたマスク。
ナノデバイスや量子ドットの製造、ナノスケールの構造作成に適し、
半導体製造やMEMSの製造プロセスでも使用される。

SU-8 レジスト :
厚膜形成と機械的強度に優れたマスク。
MEMSやマイクロ流体デバイス、バイオチップの製造における厚膜構造や
高アスペクト比のパターン形成に広く使用される。


主な用途
- ウエハー上に回路パターンを形成
- イオン注入向けマスク
- 選択的エッチングを行うためのマスク
- ウエハー表面の保護(パッシベーション)
- 半導体CMPプロセスで使用領域を規定

研究分野
- ナノリソグラフィ
- イオンビーム技術
- マイクロファブリケーション技術
- 半導体製造技術

検索キーワード:
電子ビーム描画装置 / 電子線描画装置 / Electron Beam Lithography / SML Resist / PMMA Resist / SU-8 Resist / HSQ Resist / H-SiOx / ウエハー回路パターン形成 / イオン注入向けマスク / 選択的エッチング用マスク / 半導体デバイス作成用のレジスト / ウエハー表面保護 / 半導体CMPプロセス用材料 / 半導体研究用レジスト / ナノリソグラフィ / マイクロファブリケーション / PMMA 950 A7 / 半導体リソグラフィ / 半導体加工マスク / MEMS製造用レジスト / イオンビームリソグラフィ / パッシベーションマテリアル / ebeam lithography / 半導体アプリケーション / フォトニクス / 光学機器 / Fresnel lenses / フレネルレンズ / silicon photonics / ナノファブリケーション

研究テーマ・研究分野の例:
再生可能エネルギー / 電極材料 / グリーンケミストリー / ナノテクノロジー / 半導体製造技術 / マイクロファブリケーション技術 / ナノリソグラフィ / イオンビーム技術

メーカー

EM Resist Ltd.
https://www.emresist.com/

SML Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

低加速電圧でも近接効果補正を使用せずに
高解像度・高アスペクト比のパターンに同時にパターニングが可能な、
特別に設計された新しいレジスト。

レジスト膜厚は以下からお選びいただけます。
・SML50 : 40nm - 100nm
・SML100 : 90nm - 210nm
・SML300 : 250nm - 600nm
・SML600 : 575nm - 1300nm
・SML1000 : 990nm - 2000nm
・SML2000 : 1800nm - 5000nm

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
50mL/100mL/150mL/200mL/250mL/500mL/750mL/1000mL


製品詳細

・Very high resolution : <10nm
・Very high aspect ratio :
… >10:1 @ 30 kV
… >50:1 @ 100 kV
・Thickness : 50 nm - 2000 nm
・Superior LER/LWR
・Very straight sidewalls
・Excellent surface adhesion (HMDS not required)
・Excellent etch resistance

推奨処理条件

・Casing solvent : Anisole
・Pre-bake : 180°C for 2 minutes
・Exposure : 200-500 μC/cm2 @ 30kV
・Developer : MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper : IPA for 15s
・Remover : Acetone

※レジストの保存可能期間は12ヶ月です。 直射日光を避け、常温で保存してください

SML Resist 写真 ※クリックで拡大します

写真はともに50mLのボトル。

PMMA Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

業界標準のPMMA(ポリメチルメタクリレート)レジスト。

Molecular Weight(分子量)を 950K/495K/120K/35K からお選びいただけます。
Dilutions (希釈度)は以下からご指定いただけます。
・950K/495K … A2〜A10
・120K/35K … A2〜A12

ご希望のボトルサイズ(容量)をお知らせください
250mL/500mL//1000mL/1500mL/2000mL/2500mL/3000mL


また T型ゲートなどの二層レジスト用途にPMMAと組み合わせて使用可能な
P(MMA-MAA)コポリマーレジストもございます。
P(MMA-MAA)は高感度ポジトーンレジストとして単独で使用することもできます。

・PMMA Copolymer Resist P(MMA(8.5)MAA) EL13 (250mL)
※EL13 : Ethyl Lactate (乳酸エチル) 13% solid content

その他の 固形分/容量をご希望の際にはお問い合わせください。


推奨処理条件

・Casing solvent: Anisole
・Pre-bake: 180°C for 2 minutes
・Exposure: 100-300 μC/cm2 @ 30kV
・Developer: MIBK:IPA (1:3) for 30s. All other PMMA developers will also work with SML resist.
・Stopper: IPA for 15s
・Remover: Acetone

※レジストの保存可能期間は12ヶ月です。 直射日光を避け、常温で保存してください

New Formulation!
HSQ Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

優れたエッチング特性を有する高解像度ネガ型電子ビームレジスト。

濃度を 1% / 2% / 4% / 6% からお選びください。
標準のボトルサイズ(容量)は50mLとなります。
その他の濃度 (1%-40%まで お選びいただけます)や容量をご希望の際はお問い合わせください。


あらかじめMIBKで希釈・ろ過された状態の「in Solution」タイプの他、
HSQパウダー、乾燥MIBK、クリーンボトル、フィルター、シリンジ で構成された
「Powder Kit」タイプもございます。
Powder Kitは ユーザー自身でカスタム希釈を行うことができ、
またレジストの保存期間の延長とレジスト性能を保つことができます。




製品詳細

・Direct write and thin uniform films
・High resolution (<10 nm features)
・Excellent line edge roughness
・Good dry etch resistance
・Available in powder form to meet every need
・Improved shelf life of liquid form and very long shelf life at RT in powder form
・Available in concentrations from 1% to 40%

SU-8 Resist / 製品詳細(メーカーWEBサイト)

半導体用途に最適なフォトレジスト。
以下の製品ラインアップがありますのでご希望の製品をお知らせください。

※容量は250mL以上からお選びいただけます


推奨処理条件 (基本)

・Substrate preparation
・Spin coating
・Relaxation time to improve the surface uniformity
・Soft-bake
・Exposure to initiate cross-linking
・Post exposure bake
・Development
・Rinse & Dry
・Optional hard bake