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HQ Graphene 社 製品 (グラフェン等のナノマテリアル)
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- 科学研究に必要な高純度・高品質の2D単結晶
- ナノテクノロジーメーカーである HQ Graphene社のさまざまな2D結晶材料を取り扱っております。
HQ Graphene社は、六方晶窒化ホウ素、単結晶グラフェン、硫化物の結晶(MoS2, WS2, TiS2, etc)、 セレン化物(GaSe, NbSe2, etc)、テルル化物(Bi2Te3, MoTe2, etc)などの 製造と特性評価を専門としています。
凝縮物質科学の探索や技術開発に役立つこれらの2次元材料(高純度・高品質の2D単結晶)を、 世界中の190を超える大学、研究機関、企業へ科学研究のために提供しています。
お問合せの際にはご希望の製品名・型番をお知らせください。
検索キーワード
2次元ファンデルワールス(van der Waals, vdW) 磁気材料 / 磁気特性 / 量子コンピューティング / ファン・デル・ワールス結合 / van der Waals 結晶 / 半導体 / ヘテロ接合 / 二次元結晶 / バルク単結晶 / 材料科学 / 層状化合物半導体
- メーカー
- HQ Graphene
http://www.hqgraphene.com/
取り扱い商品の一例
| 商品名 | 納品方法 | 納期 | 価格 | |
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| HQ Graphene 製品(ご希望の製品名・型番をお知らせください) | 弊社より配送 | お問い合わせください | お問い合わせください |
ご希望の商品にチェックを入れてボタンをクリックすることで、該当商品をお見積もりフォームへ追加できます。納品方法についてはこちらをご覧ください。
商品説明
お問合せの際にはご希望の製品名、型番、仕様などをお知らせください。
取り扱いのある合成結晶の一般的な寸法は、横方向 6～10 mm、厚さ < 0.1～0.4mm です。
結晶の特性に関する具体的な情報(結晶サイズ等)は、メーカーWebサイトをご参照ください。
※情報掲載がない場合、ご質問(サイズ等)をお書き添えの上、ご連絡ください。
【HQ Graphene 社 結晶マテリアル カテゴリ一覧】
2D crystals / 詳細
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・Semiconductor … 二次元半導体
・Metal … 二次元金属
・Semimetal … 二次元半金属
・Superconductor … 二次元超伝導体
・Insulator … インシュレータ
- h-BN (Hexagonal Boron Nitride, 六方晶窒化ホウ素)
- MICA Muscovite (白雲母)
・Topological Insulators … トポジカル絶縁体
・Charge Density Waves … 電荷密度波(CWD)
・2D Alloys … 二次元合金
・Ferromagnetic Insulators … 強磁性絶縁体
- CrBr3 (Chromium Bromide, 臭化クロム)
- Cr2Ge2Te6 (chromium germanium telluride, テルル化クロムゲルマニウム)
・Weyl Semimetal … ワイル半金属
- WTe2 (Tungsten Ditelluride, テルル化タングステン)
・Polymers for 2D transfer … 2D転写ポリマー
- Heterostructure fabrication
・Custom made crystal … オーダーメイドの2D結晶材料
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【弊社取扱実績・見積実績の一例】
・WTe2 (Tungsten Ditelluride / テルル化タングステン) / 詳細
結晶サイズ: ～10 mm
特性: 半金属(Semimetal), ワイル半金属 (WSM)
結晶構造: orthorhombic/斜方晶系(P)
Unit cell parameters: a=0.348nm, b=0.625nm, c=1.405nm, α=β=γ= 90°
組織: 合成
純度: >99.995 %
キャラクタライズ: XRD, Raman, EDX, Hall measurement
WTe2 外観写真 (クリックで拡大します)
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・WSe2 (Tungsten Diselenide/セレン化タングステン) / 詳細
毒物/
PRTR/危険/
結晶サイズ: ～10 mm
特性: 半導体(Semiconductor)
結晶構造: 六方晶系
Unit cell parameters: a=b=0.328nm, c=1.298nm, α=β=90°,γ= 120°
組織: 合成
純度: >99.995 %
キャラクタライズ: XRD, Raman, EDX, Hall measurement
WSe2 外観写真 (クリックで拡大します)
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・Fe3GeTe2 (Ferromagnetic metal/磁性金属)
層状化合物
カルコゲナイド系で、結晶はファンデルワールス力による結合をしています(vdW磁石)
Fe3GeTe2 外観写真 (クリックで拡大します)
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・Fe5GeTe2 (Ferromagnetic metal/磁性金属)
積層化合物
強磁性体で、結晶はファンデルワールス力による結合をしています(vdW磁石)
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・CrI3 crystals(chromium triiodide/三ヨウ化クロム)
2次元vdW磁性材料、結晶はファンデルワールス力による結合をしています
特性: 強磁性半導体(Ferromagnet semiconductor)
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・ZrTe5 (Zirconium pentatelluride/ペンタテルル化ジルコニウム)
トポロジカル電子物質, 半導体(semimetal)
層状遷移金属カルコゲナイドで、結晶はファンデルワールス力による結合をしています
