取り扱い商品の一例

商品説明

2D Semiconductors 社 は、研究産業における高品質な材料の重要性を認識し、
品質保証にはとくに力を入れています。
・大きな単結晶ドメインサイズ
・隠れた秩序相がない
・埋め込まれたアモルファスセグメントがない
・不純物なし(6N=99.9999%純度)の半導体グレード材料
・高発光、信頼できる励起子の再結合速度 等

お問合せの際にはご希望の製品名、型番、仕様などをお知らせください。

【2D Semiconductors 社 結晶マテリアル カテゴリ一覧】


Products / 詳細
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・Semiconductor … 二次元半導体
・2D MAXene MXene… 二次元層状材料(前駆体MAXeneとAエレメントを除去したMXene)
・2D MBE MONOLAYERS… 二次元MBEモノレイヤー
・2D CVD MONOLAYERS… 二次元CVDモノレイヤー
・2D INSULATORS… 二次元絶縁体
・2D SEMICONDUCTORS… 二次元半導体
・2D ELECTRONIC DOPING… 二次元電子ドーピング
・2D FERROMAGNETIC… 二次元強磁性
・2D SUPERCONDUCTORS… 二次元超伝導体
・2D SEMIMETALS… 二次元半金属
・2D EXCITONIC INSULATORS… 二次元興奮性絶縁体
・2D CHARGE DENSITY WAVE… 二次充電密度波
・2D TOPOLOGICAL INSULATORS… 二次元トポロジカル絶縁体ー
・2D METALS… 二次元金属
・2D ALLOYS… 二次元合金
・2D CARBON-BASED… 二次元カーボンベースン
・2D SOLUTIONS… 二次元ソリューション体
・2D POWDERS… 二次元パウダー
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【弊社取扱実績・見積実績の一例】


CVD 2x2 inches multilayer hBN (multihBN) / 詳細
h-BN (hexagonal boron nitride, 六方晶窒化ホウ素)

h-BNは、6 eVの直接バンドギャップを持つ絶縁体で、
多層h-BN(窒化ホウ素)フィルムは、厚さ50 umの銅箔上に成長します。

CVD単層h-BN: 2x2 inches on 50 um thick Cu foils
材料特性: ～6eV gap insulator(ギャップ絶縁体)
結晶構造: Hexagonal phase(六方晶相)
Growth method: CVD deposition(化学蒸着堆積)



CVD 2x2 inches monolayer hBN (mlhbN) / 詳細

h-BNは、6 eVの直接バンドギャップを持つ絶縁体で、
単層h-BN(窒化ホウ素)単層厚膜は、厚さ50 umの銅箔上に成長します。

CVD単層h-BN: 2x2 inches on 50 um thick Cu foils
材料特性: ～6eV gap insulator(ギャップ絶縁体)
結晶構造: Hexagonal phase(六方晶相)
Growth method: CVD deposition(化学蒸着堆積)



2D Heterojunctions (CVDheterojunc) / 詳細

2D CVD成長シートを背中合わせに転送し、2D垂直ヘテロ接合を作成します。
化学物質不使用の転写プロセスを使用していますが、
2D層の物理的特性の変化(歪み、基板、欠陥)を観察することが予想されます。

2Dヘテロ接合の例1:
材料1:Large area h-BN multilayers (多層h-BN) *
材料2:Large area CVD graphene (グラフェン)*
素材の種類:c-cut sapphire (double side polished, 両面研磨)**

2Dヘテロ接合の例2:
材料1:Large area h-BN monolayers (単層h-BN) *
材料2:Large area CVD graphene (グラフェン)*
素材の種類:c-cut sapphire (double side polished, 両面研磨)**

2D材料、素材の種類等をご選択頂けます
材料(*): Large area graphene, Large area h-BN monolayers, Large area h-BN multilayers, Large area(～1cm) MoS2 etc
素材(**): c-cut sapphire (double side polished), SiO2/Si, Quartz, PET polymer,
Metal surfaces (define metal type during check-out), Custom (contact prior to purchase)



Hexagonal Boron Nitride (h-BN) / 詳細
(High pressure anvil cell growth *) (BLK-HBN)

h-BN結晶は、2D材料分野のゴールドスタンダードサイズ(最大で2mm)です。
最先端の2つの異なる技術(*)によって成長します。
* High pressure anvil cell growth または、
Atmospheric pressure method のいずれかを、ご選択頂けます。


V1 Grade 2D Material Substrate (BLK-V1) / 詳細

リップル、表面粗さ、ドーピング(電荷移動)効果を排除するための
最高品質(V1以上のグレード)の2次元材料テンプレートです。
化学研究に理想的な基板です。

可能なアプリケーション:
- Substrates to 2D materials …2Dマテリアルへの基板
- 2D heterostructure studies …2Dヘテロ構造研究
- STM - AFM applications …STM/AFM アプリケーション
- Molecular detection - binding …分子検出結合
- Ultra-low friction studies …超低摩擦技術の研究
- Materials science and semiconductor research …材料科学および半導体研究



【入荷パッケージ写真】※クリックで拡大します

Synthetic Molybdenum Disulfide (MoS2)


Tungsten Disulfide (WS2)


Tungsten Diselenide (WSe2)

【励起子の再結合速度とは】
励起子の再結合速度とは、励起された電子と正孔が再結合する速さを示します。ナノマテリアルの再結合速度が遅いほど、光電変換効率が向上します。例えば、太陽電池において、再結合速度の低下は高効率変換に寄与します。

【関連研究キーワード】
二次元物性 / ヘテロ構造 / ナノフォトニクス / トランジスタ / 熱電材料 / 半導体レーザー / 光触媒 / 分子エレクトロニクス / エネルギー変換 / キャリア移動

参考情報

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