弊社取扱実績・見積実績の一例

CVD 2×2 inches multilayer hBN (multihBN) / 詳細（メーカーページ）

h-BN (hexagonal boron nitride, 六方晶窒化ホウ素)

h-BNは、6 eVの直接バンドギャップを持つ絶縁体で、多層h-BN(窒化ホウ素)フィルムは、厚さ50 umの銅箔上に成長します。

CVD単層h-BN: 2×2 inches on 50 um thick Cu foils
材料特性: ～6eV gap insulator(ギャップ絶縁体)
結晶構造: Hexagonal phase(六方晶相)
Growth method: CVD deposition(化学蒸着堆積)

CVD 2×2 inches monolayer hBN (mlhbN) / 詳細（メーカーページ）

h-BNは、6 eVの直接バンドギャップを持つ絶縁体で、単層h-BN(窒化ホウ素)単層厚膜は、厚さ50 umの銅箔上に成長します。

CVD単層h-BN: 2×2 inches on 50 um thick Cu foils
材料特性: ～6eV gap insulator(ギャップ絶縁体)
結晶構造: Hexagonal phase(六方晶相)
Growth method: CVD deposition(化学蒸着堆積)

2D Heterojunctions (CVDheterojunc) / 詳細（メーカーページ）

2D CVD成長シートを背中合わせに転送し、2D垂直ヘテロ接合を作成します。
化学物質不使用の転写プロセスを使用していますが、2D層の物理的特性の変化(歪み、基板、欠陥)を観察することが予想されます。

2Dヘテロ接合の例1:
材料1:Large area h-BN multilayers (多層h-BN) *
材料2:Large area CVD graphene (グラフェン)*
素材の種類:c-cut sapphire (double side polished, 両面研磨)**

2Dヘテロ接合の例2:
材料1:Large area h-BN monolayers (単層h-BN) *
材料2:Large area CVD graphene (グラフェン)*
素材の種類:c-cut sapphire (double side polished, 両面研磨)**

2D材料、素材の種類等をご選択頂けます
材料(*): Large area graphene, Large area h-BN monolayers, Large area h-BN multilayers, Large area(～1cm) MoS2 etc
素材(**): c-cut sapphire (double side polished), SiO2/Si, Quartz, PET polymer, Metal surfaces (define metal type during check-out), Custom (contact prior to purchase)

Hexagonal Boron Nitride (h-BN) / 詳細（メーカーページ）

(High pressure anvil cell growth *) (BLK-HBN)

h-BN結晶は、2D材料分野のゴールドスタンダードサイズ(最大で2mm)です。
最先端の2つの異なる技術(*)によって成長します。
* High pressure anvil cell growth または、Atmospheric pressure method のいずれかを、ご選択頂けます。

V1 Grade 2D Material Substrate (BLK-V1) / 詳細（メーカーページ）

リップル、表面粗さ、ドーピング(電荷移動)効果を排除するための最高品質(V1以上のグレード)の2次元材料テンプレートです。
化学研究に理想的な基板です。

可能なアプリケーション

• Substrates to 2D materials … 2Dマテリアルへの基板
• 2D heterostructure studies … 2Dヘテロ構造研究
• STM – AFM applications … STM/AFM アプリケーション
• Molecular detection – binding … 分子検出結合
• Ultra-low friction studies … 超低摩擦技術の研究
• Materials science and semiconductor research … 材料科学および半導体研究

入荷パッケージ写真

※クリックで拡大します

Synthetic Molybdenum Disulfide (MoS2)

Tungsten Disulfide (WS2)

Tungsten Diselenide (WSe2)

励起子の再結合速度とは

励起子の再結合速度とは、励起された電子と正孔が再結合する速さを示します。ナノマテリアルの再結合速度が遅いほど、光電変換効率が向上します。例えば、太陽電池において、再結合速度の低下は高効率変換に寄与します。

関連研究キーワード

二次元物性 / ヘテロ構造 / ナノフォトニクス / トランジスタ / 熱電材料 / 半導体レーザー / 光触媒 / 分子エレクトロニクス / エネルギー変換 / キャリア移動

研究テーマ・研究分野の例

ナノテクノロジー / 材料科学 / エレクトロニクス / 磁性材料 / 量子デバイス / フォトニクス / グラフェン研究 / バイオセンサー

検索キーワード : 
磁気材料 / 磁気特性 / 量子コンピューティング / ファンデルワールス結合 / van der Waals 結晶 / 半導体 / ヘテロ接合 / 二次元結晶 / バルク単結晶 / 層状化合物半導体 / Graphene / 再生可能エネルギー / 電極材料 / グリーンケミストリー / 量子材料 / 量子物質 　

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