HQ Graphene社製品(グラフェン等のナノマテリアル)

科学研究 必要 高純度 高品質 2D 単結晶

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メーカー

HQ Graphene BV

ハードウェア
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HQ Graphene社製品(グラフェン等のナノマテリアル)の製品概要

ナノテクノロジーメーカーである HQ Graphene社のさまざまな2D結晶材料を取り扱っております。

HQ Graphene社は、六方晶窒化ホウ素、単結晶グラフェン、硫化物の結晶(MoS2, WS2, TiS2, etc)、 セレン化物(GaSe, NbSe2, etc)、テルル化物(Bi2Te3, MoTe2, etc)などの 製造と特性評価を専門としています。

凝縮物質科学の探索や技術開発に役立つこれらの2次元材料(高純度・高品質の2D単結晶)を、 世界中の190を超える大学、研究機関、企業へ科学研究のために提供しています。

主な用途
  • グラフェンエレクトロニクス
  • 導電性コーティング
  • ナノマテリアルの研究開発
  • 航空宇宙産業
  • 微小電気機械システム(MEMS)、ナノ電子機械システム(NEMS)
  • 化学/バイオセンサ
  • 金属触媒の支持

 


弊社では、ACS Material 社製品 2D Semiconductors 社製品、Graphenea 社製品 のお取り扱いもございます。

 

関連サービス


毒物及び劇物の取り扱いについて (日本語SDS作成サービス)

メーカーサイトURL

https://www.hqgraphene.com/

お問合せの際にはご希望の製品名、型番、仕様などをお知らせください。

取り扱いのある合成結晶の一般的な寸法は、横方向 6~10 mm、厚さ < 0.1~0.4mm です。
結晶の特性に関する具体的な情報(結晶サイズ等)は、メーカーWebサイトをご参照ください。

※情報掲載がない場合、ご質問(サイズ等)をお書き添えの上、ご連絡ください。

HQ Graphene 社 結晶マテリアル カテゴリ一覧

2D crystals

メーカー詳細ページ

弊社取扱実績・見積実績の一例

WTe2 (Tungsten Ditelluride / テルル化タングステン) / 詳細
  • 結晶サイズ: ~10 mm
  • 特性: 半金属(Semimetal), ワイル半金属 (WSM)
  • 結晶構造: orthorhombic/斜方晶系(P)
  • Unit cell parameters: a=0.348nm, b=0.625nm, c=1.405nm, α=β=γ= 90°
  • 組織: 合成
  • 純度: >99.995 %
  • キャラクタライズ: XRD, Raman, EDX, Hall measurement

WTe2 写真 (クリックで拡大します)


WSe2 (Tungsten Diselenide/セレン化タングステン) / 詳細

毒物 PRTR 危険 

  • 結晶サイズ: ~10 mm
  • 特性: 半導体(Semiconductor)
  • 結晶構造: 六方晶系
  • Unit cell parameters: a=b=0.328nm, c=1.298nm, α=β=90°,γ= 120°
  • 組織: 合成
  • 純度: >99.995 %
  • キャラクタライズ: XRD, Raman, EDX, Hall measurement

WSe2 写真 (クリックで拡大します)


Fe3GeTe2 (Ferromagnetic metal/磁性金属) / 詳細

層状化合物
カルコゲナイド系で、結晶はファンデルワールス力による結合をしています(vdW磁石)

  • 結晶サイズ: ~5 mm
  • 特性: 強磁性金属 (キュリー温度 ~230K)
  • 結晶構造: 六方晶系
  • Unit cell parameters: a=b=0.399 nm, c=1.633 nm, α=β=90°, γ=120°
  • 組織: 合成
  • 純度: >99.995 %
  • キャラクタライズ: XRD, EDX

Fe3GeTe2 写真 (クリックで拡大します)


Fe5GeTe2 (Ferromagnetic metal/磁性金属) / 詳細

積層化合物
強磁性体で、結晶はファンデルワールス力による結合をしています(vdW磁石)

  • 結晶サイズ: ~1 mm
  • 特性: 強磁性金属 (キュリー温度 ~270K)
  • 結晶構造: 六方晶系
  • Unit cell parameters: a=b=0.400 nm, c=2.926 nm, α=β=90°, γ=120°
  • 組織: 合成
  • 純度: >99.995 %
  • キャラクタライズ: XRD, EDX

ZrTe5 (Zirconium pentatelluride/ペンタテルル化ジルコニウム) / 詳細

トポロジカル電子物質
層状遷移金属カルコゲナイドで、結晶はファンデルワールス力による結合をしています

  • 結晶サイズ: ~1-3 mm
  • 特性: 半金属
  • 結晶構造: 斜方晶系
  • Unit cell parameters: a=0.405 nm, b=1.586 nm, c=1.384 nm, α=β= γ=90°
  • 組織: 合成
  • 純度: >99.995 %
  • キャラクタライズ: XRD, EDX

CrI3 crystals (chromium triiodide/三ヨウ化クロム)

2次元vdW磁性材料、結晶はファンデルワールス力による結合をしています
特性: 強磁性半導体(Ferromagnet semiconductor)

 


磁気特性とは

磁気特性とは、物質の磁気に関する性質を包括し、物質の磁化や磁気相互作用など基本的な性質と、外部の磁場への応答を含む用語です。物質の磁気に関する様々な特性の総称です。

関連研究キーワード

2D磁気材料 / 量子コンピューティング / ファン・デル・ワールス結合 / 半導体 / ヘテロ接合 / バルク単結晶 / 材料科学 / グラフェン材料 / 2次元結晶 / van der Waals結晶 / 再生可能エネルギー / グリーンケミストリー / 電極材料

 

検索キーワード
2次元ファンデルワールス磁気材料(van der Waals, vdW) / 磁気特性 / 量子コンピューティング / ファン・デル・ワールス結合 / van der Waals結晶 / 半導体 / ヘテロ接合 / 二次元結晶 / バルク単結晶 / 材料科学 / 層状化合物半導体 / グラフェン材料 / 再生可能エネルギー / グリーンケミストリー / 電極材料

研究テーマ・研究分野の例:
2次元ファンデルワールス磁気材料 / 磁気特性 / 量子コンピューティング / ファン・デル・ワールス結合 / 半導体 / ヘテロ接合 / バルク単結晶 / 材料科学 / グラフェン生産プロセスの最適化 / グラフェン合成方法の開発 / グラフェンの電子デバイス応用 / グラフェンセンサーの高感度化 / グラフェンと他材料のハイブリッド / グラフェンの熱伝導制御 / グラフェン光触媒の開発 / グラフェン量子ドットの合成 / グラフェン量子ホール効果 / グラフェンナノリボンの電子状態

お問合せの際にはご希望の製品名、型番、仕様などをお知らせください。

取り扱いのある合成結晶の一般的な寸法は、横方向 6~10 mm、厚さ < 0.1~0.4mm です。
結晶の特性に関する具体的な情報(結晶サイズ等)は、メーカーWebサイトをご参照ください。

※情報掲載がない場合、ご質問(サイズ等)をお書き添えの上、ご連絡ください。

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